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Wir fertigen halbisolierende und halbleitende Galliumarsenid-Substrate im Durchmesserbereich von 3“ bis 200 mm für Anwendungen in der Hochfrequenz- und Optoelektronik. Mit Produkten, die immer und überall die höchsten Qualitätsanforderungen erfüllen müssen, hat sich FCM weltweit einen exzellenten Ruf erworben. Alle Produkte werden in aufwendigen Analyse- und Messverfahren umfassend charakterisiert, damit wir den Anforderungen und Wünschen unserer Kunden jederzeit gerecht werden können.

Unsere GaAs-Wafer werden aus nach dem LEC- oder VGF-Verfahren gezogenen Einkristallen hergestellt. Zur Einstellung der elektrischen Eigenschaften wird das Material mit Kohlenstoff, Silizium, Tellur oder Zink dotiert – es entsteht ein n-Typ bzw. p-Typ Halbleiter im hochohmigen (>107 Ωcm) oder niederohmigen Bereich (<10-2 Ωcm). Die Wafer Oberflächen sind extrem verunreinigungsarm und besitzen im Allgemeinen eine sogenannte „Epiready“-Qualität, d.h. die Wafer können direkt in Epitaxie Prozessen eingesetzt werden.