ENG | DEU

1957

Gründung des VEB Spurenmetalle Freiberg (SMF) als Staatsbetrieb zur Entwicklung und Produktion von Reinststoffen und Halbleitermaterialien wie Ge, Si, Ga, As etc. Die Grundlagen wurden im schon 1949 entstandenen Institut für Nichteisenmetalle gelegt. Dessen Aufgabe bestand u.a.  in der Entwicklung von Technologien zur Herstellung von Werkstoffen für die Elektroindustrie und deren Produktion in kleinen Mengen in den institutseigenen Labors.
Am Anfang wurden kleinere Mengen Zr und Ti und später Ga, As, P und In hergestellt. Diese Mengen reichten bald nicht mehr aus. In den USA war der Ge-basierte Transistor erfunden worden und die Elektronikindustrie nahm einen stürmischen Aufschwung.
Ab 1957 soll nicht mehr ein Institut, sondern ein Industriebetrieb -VEB Spurenmetalle -  den Bedarf an Elektronikwerkstoffen der DDR, die über keine bedeutenden eigenen Rohstoffvorkommen verfügt, decken. Ende 1957 hat der Betrieb 35 Mitarbeiter. Als Produktionsgebäude steht das Labor einer ehemaligen Bleihütte zur Verfügung.  

Verwaltungsgebäude Institut für Nichteisenmetalle
Versuchsanlage des Instituts
1958 wird das erste Germaniumdioxid hergestellt.

Ab 1960

Ab 1960 erfolgt der Bau einer Großproduktionsversuchsanlage, die Mitte der 60er Jahre neben der erheblichen Steigerung der Germaniumdioxidproduktion auch die Züchtung von Ge-Kristallen ermöglichte. 
Ab Mitte der 1960er Jahre beginnt sich das Silizium als Alternative zum Germanium durchzusetzen. Es ist in ausreichenden Mengen vorhanden und seine Eigenschaften können durch Dotierung entsprechend eingestellt werden. Es entsteht eine Versuchsanlage zur Herstellung von Si in Halbleiterqualität.  Zum Ende des Jahrzehnts soll nicht nur mono- und polykristallines Si hergestellt, sondern der Prozess um die  mechanische Kristallbearbeitung erweitert werden.

Czochralski-Einkristallzüchtungsanlage für Ge (1“) 1963

Die 70er und 80er Jahre

 

Am Standort wird eine neue Halle gebaut, in der ab 1974 die Abteilung Mechanische Kristallbearbeitung untergebracht war. Die Beschaffung der technischen Ausrüstungen gestaltete sich oft schwierig. Die Möglichkeiten im Inland waren beschränkt und für den freien Markt fehlten die nötigen Devisen. Viele Anlagen wurden deshalb selbst entwickelt und gebaut. 

Parallel zur Si-Produktion wurde ab 1970 auch auf dem Gebiet der Verbindungshalbleiter (GaAs, GaP, InP und InAs) geforscht. Die Herstellung begann 1982. Im Lieferprogramm von 1987 werden GaAs, GaP und InP angeboten. In den 1970er Jahren steigt der Bedarf an Elektroniksilizium weiter an. VEB Spurenmetalle erweitert seine Kapazitäten. 1981 geht eine Anlage zur Produktion von 120 t/a Polysilizium in Betrieb. Gleichzeitig beginnt der Bau eines neuen Werkes für Kristallzüchtung an einem neuen Standort in Freiberg. Es produziert ab 1986.

 

 

GaP/InP - Syntheseanlage (Eigenentwicklung 1972)
HB-GaAs-Einkristall-Züchtungsanlage 1983 - 45 mm Schulterbreite
LEC-Einkristall- züchtungs- anlage für GaAs 1985 (2“)
LEC-Einkristall- züchtungs- anlagen für GaAs und GaP 1988 (2“)

1989

Zum Zeitpunkt der Wende hatte der Betrieb 1800 Beschäftigte und produzierte  ca. 450.000 Si-Scheiben (150 mm Durchmesser) mit einer Fläche von 130 Mio. cm².

1990

 

Nach der Wende wurden alle Staatsbetriebe in Kapitalgesellschaften umgewandelt und der Treuhandanstalt zur Restrukturierung und Privatisierung unterstellt.

VEB Spurenmetalle firmiert ab dem 1.Juli 1990 als Freiberger Elektronikwerkstoffe GmbH (FEW).

Der Weg in die Marktwirtschaft erweist sich als sehr kompliziert. Die bisherigen Kunden gibt es nicht mehr; die Qualität der Freiberger Si-Wafer reicht nicht für den Neueinstieg in den Markt.

Eine neue Perspektive eröffnet sich 1990 als der Wacker-Konzern beschließt, seine GaAs-Aktivitäten aufzugeben. Man ist sich einig: GaAs ist das Material der Zukunft. Ohne Wacker gäbe es in Deutschland keinen Hersteller mehr. In Freiberg bei FEW und früher SMF wird schon viele Jahre auf dem Gebiet der Verbindungshalbleiter gearbeitet. Technologie und Ausrüstungen sind unzureichend, aber das Wissen und Können der Mitarbeiter steht zur Verfügung. Finanziert durch die Treuhandanstalt sowie mit landes- und bundespolitischer Unterstützung kommt der Vertrag mit Wacker zustande.

 

 

Standort SMF/ FEW 1990 (Quelle: Luftbild Heye W-3256 Coppenbrügge)

1990

Übernahme der GaAs Fertigungstechnologie von der Wacker Siltronic AG.

1991

Transport der Anlagen nach Freiberg.

1992

Produktion der ersten Wafer nach der Wackertechnologie in Freiberg.

Die FEW arbeitet weiterhin intensiv daran, sich den neuen Bedingungen anzupassen: Strukturänderungen, Ausgründungen, Personalreduzierung, Aufbau neuer Kundenkontakte. Die Treuhandanstalt stuft den Betrieb schließlich als sanierungsfähig ein und übergibt ihn an eine Managementgesellschaft, die die FEW verkaufsfähig gestalten soll.

LEC-GaAs-ND-Einkristallzüchtungsanlagen für bis zu 100 mm

1992

Übernahme der FEW durch die Horst Plaschna Management GmbH & Co. KG (HPMKG).

Im folgenden Jahr gelingt es jedoch nicht die Verlustzone zu verlassen oder Investoren zu gewinnen.
Plaschna erklärt die FEW als nicht sanierungsfähig, was gleichbedeutend war mit Rückgabe zur Stilllegung an die Treuhandanstalt. Durch die Bereitschaft von Dr. Werner Freiesleben, die Geschäftsführung der FEW zu übernehmen, wurde das Aus abgewendet. Die Finanzierung bis Ende 1995 ist gesichert. Freieslebens Konzept, die FEW nicht als Ganzes, sondern die 3 Geschäftsfelder getrennt zu privatisieren geht am Ende auf. Es entstehen 3 Firmen:

1994

Am 1. August übernimmt die Bayer AG das Geschäftsfeld Solarsilizium und gründet mit 19 Mitarbeitern die Bayer Solar GmbH (heute Solar World AG).

1995

Am 4. August wird der Vertrag mit Wacker unterzeichnet. Mit fast 300 Mitarbeitern wird die Wacker Siltronic GmbH (heute Siltronic AG) gegründet.

Am 31. August übernimmt Federmann Enterprises Ltd. den Bereich GaAs mit 81 Mitarbeitern und gründet die Freiberger Compound Materials GmbH. Dieses ist die erste Großinvestition eines israelischen Unternehmers in die ostdeutsche Industrie.

Bereits wenige Tage später wird der Grundstein für das neue Domizil der Firma gelegt.
Der Firmengründer Yekutiel Federmann ist gebürtiger Chemnitzer und 1938 vor den Nazis aus Deutschland geflohen. Er kam nach 60 Jahren wieder nach Freiberg, wo er bereits mit einer Schülermannschaft Fußball gespielt hatte. 

1997

Nach Rekordbauzeit wird die Produktion reibungslos  an den neuen Standort verlagert und die Produktion läuft 1997 an. Im gleichen Jahr beteiligt sich Siemens (Infineon Technologies AG) mit 12,5 % an FCM. Es werden hohe Zuwächse bei den Umsätzen erzielt.

Schlüsselübergabe Fab 1 1997 (v.l.n.r. Dr. T. Flade, Dr. W. Berger, M. Federmann (Quelle: Archiv FCM))

1998

1998 wird die Massenproduktion von LEC-Kristallen und Wafern bis 150 mm Durchmesser erfolgreich eingeführt.

Fab 1 1998

1999

1999 beginnt Freiberger mit der Entwicklung einer eigenen VGF-Technologie zur Züchtung von 4“-Kristallen. Nach knapp 2 Jahren stößt die neue Produktionsstätte an ihre Kapazitätsgrenzen. Begünstigt durch den Handyboom steigt die Nachfrage nach Wafern aus Freiberg. Die Planungen zur Kapazitätserweiterung beginnen.

2000

Im Frühjahr 2000 wird der Grundstein für Fab2 gelegt.

Im Jahr 2000 erreicht Freiberger einen Weltmarktanteil von 20 % und stellt den ersten auf der Welt produzierten 200 mm GaAs LEC Wafer vor. Im gleichen Jahr wird der erste 150 mm GaAs-Einkristall nach dem VGF Verfahren gezüchtet.  

Grundsteinlegung Fab 2 2000

2001

Trotz weltweiter Krise auf dem Halbleitermarkt geht der Aufbau neuer VGF-Kapazitäten weiter. 

Fab2 wird im Jahr 2001 in Betrieb genommen.

2002

Freiberger produziert den ersten 200 mm SI-GaAs VGF Wafer, die neue VGF Technologie und die Drahtsägetechnologie werden in die Produktion eingeführt

2010

Inbetriebnahme Blockheizkraftwerk

Um den steigenden Energiekosten zu begegnen und die Abhängigkeit von primären Energiequellen zu reduzieren beschreitet Freiberger neue Wege. Das 2010 in Betrieb genommene Blockheizkraftwerk liefert  inzwischen die Hälfte des Elektroenergiebedarfs bei einem Gesamtwirkungsgrad von über 90%. 

Blockheizkraftwerk

2013

Erneute Kapazitätserweiterung mit Inbetriebnahme eines neuen Reinraums.

Freiberger 2013